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型号 SI7119DN-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH D-S 200V 1212-8 PPAK
SI7119DN-T1-GE3 PDF
代理商 SI7119DN-T1-GE3
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 1.05 欧姆 @ 1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 666pF @ 50V
功率 - 最大 52W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装 PowerPAK? 1212-8
包装 带卷 (TR)
其它名称 SI7119DN-T1-GE3TR
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